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當前位置:首頁產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

產品簡介

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。

產品型號:
更新時間:2024-12-06
廠商性質:經銷商
訪問量:1167
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品牌其他品牌產地類別進口
應用領域化工,能源,建材,電子

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標要求。 

光譜響應
2.15-3.5um
技術參數

產品特點

 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

可配專用前置放大器

高溫度穩定性與機械耐久性

帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒,提升探測器的性能


產品應用

熱成像

FTIR光譜學

激光外差探測

中紅外氣體分析



參數

探測器型號

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質結構

外延InAsSb異質結構

最佳波長λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

峰值波長

Peak wavelength λpeak, µm

2.95±0.3

4.7±0.3

截止波長

Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm

3.5±0.2

5.5±0.2

探測率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W

≥5×1010

≥5×109

電流響應度Ri (λpeak), A/W


≥1.1

≥1.2

時間常數T,ns

≤20

≤15

電阻R,Ω

PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探測器光譜響應特性曲線

PVIA.png


封裝及尺寸

TO39型封裝外形尺寸圖


PVIA1.pngPVIA2.png


下載

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