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當前位置：首頁產品中心光電探測器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器

產品簡介

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器 PVIA系列具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。

產品型號：
更新時間：2024-12-04
廠商性質：經銷商
訪問量：882
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品牌其他品牌產地類別進口
應用領域化工,能源,建材,電子

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器,通過光學浸沒來提升探測器的性能。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。

產品特點

● 可探測紅外波長范圍2-5.5μm

● 可配專用前置放大器

● 高溫度穩定性與機械耐久性

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實現光學浸沒，提升探測器的性能

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

PVIA1.pngPVIA2.png


透鏡參數


參量

數值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區域面積AO, mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

2.4±0.20


?—接收角度；

R—超半球微型透鏡半徑

A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離


引腳定義

功能

引腳號

探測器

1（-）,2（+）

接地

3

產品應用

● 熱成像

● FTIR光譜學

● 激光外差探測

● 中紅外氣體分析

技術參數

參數

探測器型號

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs異質結構

外延InAsSb異質結構

波長λopt（μm）

2.15±0.2

2.3±0.2

相對響應強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×1010

≥5×109

時間常數T，ns

≥1.3

≥1.3

電阻R,Ω

≤20

≤15

元件工作溫度Tdet,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO39

接收角Φ

～36°

窗口

無


探測器光譜響應特性曲線

PVIA.png



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